MOSFET的反向恢复特性对于LLC转换器失谐的重要性

本文的关键要点

・在LLC转换器中,如果偏离预期的谐振条件,MOSFET体二极管的反向恢复电流会引发直通电流,这可能会造成开关损耗增加,最坏的情况下可能会导致MOSFET损坏。

・要想降低这种损坏风险,通过选用体二极管反向恢复特性优异的MOSFET来减少直通电流值,是行之有效的方法之一。

本文是“LLC转换器中一次侧开关器件反向恢复特性的重要性”系列文章的第4篇,将介绍本系列最关键的要点“MOSFET的反向恢复特性对于LLC转换器失谐的重要性”。

MOSFET的反向恢复特性对于LLC转换器失谐的重要性

当我们回顾上一篇文章中介绍的区域(2)中LLC转换器的波形和电流路径时,可以看到其中有一个期间电流会流过体二极管。然而,在正常工作时,在该期间体二极管不会关断,因此通常不会出现反向恢复电流。

接下来,我们通过图5来看LLC转换器在过负载状态下的工作波形,这也是区域(3)中LLC转换器的工作示例。通过图5中Q1和Q2的漏极电流波形,可以看到是ZCS工作而不是ZVS工作。因此,体二极管的反向恢复电流引发直通电流,MOSFET的开关损耗增加,最坏的情况下可能会导致MOSFET损坏。

图5. LLC转换器在过负载条件下的工作波形
图5. LLC转换器在过负载条件下的工作波形

如上所述,在区域(3)中,由于偏离设想中的谐振条件而出现直通电流。图5为过负载状态下的波形,当输入电压较低时,或当负载条件变化急剧时,或当电源启动时,将会失谐并流过直通电流。要想防止因失振造成的MOSFET损坏,行之有效的方法是选择体二极管反向恢复特性优异的MOSFET,降低直通电流值。

R60xxVNx系列正是符合要求的MOSFET。R60xxVNx系列是新一代PrestoMOS™,是以出色的反向恢复特性著称的超级结MOSFET。出色的反向恢复性能可以降低直通电流带来的损耗,非常适用于LLC转换器的一次侧MOSFET。关于R60xxVNx系列和PrestoMOS™的详细介绍,请参阅以下链接:
https://www.rohm.com.cn/support/super-junction-mosfet

技术资料下载

我们为您准备了ROHM举办的研讨会的讲义资料和DC-DC转换器的选型指南等可以下载的资料。
查看可以下载的资料清单

“MOSFET的反向恢复特性对于LLC转换器失谐的重要性”相关文章一览

相关文章

  1. si_ap_6_f03

    LLC转换器的基本工作

  2. si_ap_6_f02

    LLC转换器的工作特点

  3. si_ap_6_f01

    LLC转换器的基本结构

TECH INFO

  • 重点必看
  • 技术分享
  • Arduino入门指南

基础知识

  • Si功率元器件
  • IGBT功率元器件
  • 热设计
  • 仿真
  • 开关噪声-EMC
  • AC/DC
  • DC/DC
  • 电机
  • 传递函数

工程技巧


PICK UP!

  1. 刘铭
  2. ROHM开发出业界先进的第4代低导通电阻
PAGE TOP