主要部件选型:MOSFET Q1

变压器设计篇已经结束,接下来将围绕电源ICBD7682FJ-LB的外围元器件进入部件选型部分。本文将摘录并使用所要介绍的部件的外围电路,需要确认整体电路时请点击这里

主要部件的选型:MOSFET Q1

MOSFET Q1是用来驱动变压器一次侧的晶体管,是本设计主题之一的“SiC-MOSFET”。

MOSFET的选型需要考虑最大漏极-源极间电压、峰值电流、导通电阻Ron的损耗、封装的最大容许损耗等。

低输入电压时,MOSFET的导通时间变长,Ron损耗带来的发热量增加。SiC-MOSFET的特点是Ron低,其传导损耗也小,但请务必在组装在实际PCB板和产品中的状态下进行确认,并在必要时利用散热器等来解决散热问题。

20171017_graf_01

ID的额定值以Ippk×2左右作为大致的选择标准。Ippk在变压器设计的②中已经求出为0.66A。

Vds通过下列公式计算。

20171017_graf_02

Vspike则很难通过计算算出来。所以,根据经验,在添加缓冲电路的前提下,选择Vds为1700V的MOSFET。在这个设计案例中,选择ROHM生产的SiC-MOSFETSCT2H12NY(1700V、1.15Ω、4A、44W)”或“SCT2H12NZ(1700V、1.15Ω、3.7A、35W)”。

20171017_graf_03

下面以SCT2H12NY为例列出其最大额定值。关于其他参数和其他详细信息,请参考相应的技术规格书。

20171017_graf_04

Related post

  1. 20170817_graf_05

    变压器T1的设计 其2

  2. ACDC_A5_12_graf01

    主要部件选型:MOSFET栅极驱动调整电路

  3. A5_10_graf01

    主要部件选型:电源IC的BO(Brown-out)引脚相关部件

  4. 20170607_graf_01

    设计中使用的电源IC:专为SiC-MOSFET优化

  5. A5_11_graf01

    主要部件选型:缓冲电路相关部件

  6. 变压器T1的设计 其1

  7. 案例中的电路和部件清单

  8. 电路示例图

    主要部件选型:电流检测电阻及各种检测用引脚相关部件

  9. 引线部件的平面视图

    PCB板布局示例

TECH INFO

  • 重点必看
  • 技术分享
  • Arduino入门指南

基础知识

  • SiC功率元器件
  • Si功率元器件
  • 热设计
  • 仿真
  • 开关噪声-EMC
  • AC/DC
  • DC/DC
  • 电机
  • 传递函数

工程技巧


PICK UP!

  1. 模块配置
  2. “第三代 行驶中无线供电轮毂电机”开发成功:超小型SiC模块 助力实现无需担心充电的EV
  3. ROHM开发出业界先进的第4代低导通电阻SiC MOSFET:支持xEV/EV主机逆变器和电池提高电压
  4. arduino explorer rover
  5. 以纳米级输出电容实现稳定控制的Nano Cap™技术:无需输出电容器的线性稳压器
  6. 作为车载用二次电源而开发的同步整流降压型DC/DC转换器 : 车载设备中二次电源的优点
  7. 刘铭
PAGE TOP