主要部件选型:MOSFET Q1

变压器设计篇已经结束,接下来将围绕电源ICBD7682FJ-LB的外围元器件进入部件选型部分。本文将摘录并使用所要介绍的部件的外围电路,需要确认整体电路时请点击这里

主要部件的选型:MOSFET Q1

MOSFET Q1是用来驱动变压器一次侧的晶体管,是本设计主题之一的“SiC-MOSFET”。

MOSFET的选型需要考虑最大漏极-源极间电压、峰值电流、导通电阻Ron的损耗、封装的最大容许损耗等。

低输入电压时,MOSFET的导通时间变长,Ron损耗带来的发热量增加。SiC-MOSFET的特点是Ron低,其传导损耗也小,但请务必在组装在实际PCB板和产品中的状态下进行确认,并在必要时利用散热器等来解决散热问题。

20171017_graf_01

ID的额定值以Ippk×2左右作为大致的选择标准。Ippk在变压器设计的②中已经求出为0.66A。

Vds通过下列公式计算。

20171017_graf_02

Vspike则很难通过计算算出来。所以,根据经验,在添加缓冲电路的前提下,选择Vds为1700V的MOSFET。在这个设计案例中,选择ROHM生产的SiC-MOSFETSCT2H12NY(1700V、1.15Ω、4A、44W)”或“SCT2H12NZ(1700V、1.15Ω、3.7A、35W)”。

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下面以SCT2H12NY为例列出其最大额定值。关于其他参数和其他详细信息,请参考相应的技术规格书。

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