前篇对MOSFET的寄生电容进行了介绍。本篇将介绍开关特性。

MOSFET的开关特性

在功率转换中，MOSFET基本上被用作开关。MOSFET的开关特性一般提供导通延迟时间：T_d(on）、上升时间：t_r、关断延迟时间：：T_d(off）、下降时间：t_f。下面是从以低导通电阻和高速开关为特征的Nch 600V 4A的MOSFET R6004KNX的技术规格中摘录的内容。这些参数的名称和符号，各厂家间可能多少有些不同。例如，导通（关断）延迟时间与Turn-on (off)delay time，上升（下降）时间与 rising (falling) time 或 rise (fall) time等。

这些与开关相关的参数，受测量电路的信号源阻抗和漏极负载电阻R_L的影响较大。 因此，基本上会规定测量条件，提供测量电路。一般技术规格中会提供上例中所示的V_DD、V_GS、I_D、R_L、R_G的条件。规定的条件适用于提供的测量电路。

另外，因为是时间参数，因此其参数规定可能是“从哪里到哪里的时间”。

  >导通延迟时间：从V_GS上升10%到V_DS上升10%的时间
  >上升时间：从V_DS上升10%到90%的时间

  >关断延迟时间：从V_GS下降90%到V_DS下降90%的时间
  >下降时间：从V_DS下降90%到10%的时间

这里的V_DS“上升/下降”的表达从波形看可能好像是反的，这是因为输出是反转的。例如，导通时间可解释为“V_GS上升到10%后，到MOSFET导通10%的时间”。

开关特性的温度特性

这些开关时间随着温度上升略有増加趋势。由于温度上升100℃约增加10%左右，因此可以认为几乎没有温度依赖性。下面是实测例。

下一篇计划介绍ID-V_GS特性。