本文从工作和电流路径的特点角度，汇总了使用了SJ MOSFET的PSFB电路的效率提升关键要点。
●轻负载时
- 由于ZVS工作很难成立，所以在导通时很容易发生损耗。
- 为了减少这种导通损耗，需要调整死区时间（Dead Time）并防止直通电流。
- 通过选择寄生电容平衡性能优异的MOSFET，可以防止直通电流。
- 另外，如果栅极阈值电压高，则可以防止误导通。
●重负载时
- 如果MOSFET的体二极管的trr很大，可能会导致超前臂MOSFET的寄生双极晶体管误导通。
- 因此，需要使用体二极管的trr较小的MOSFET。
从这些要点来看，对于PSFB电路中使用的SJ MOSFET的要求项目包括：MOSFET要具有快速反向恢复特性（trr），MOSFET寄生电容平衡性能要优异，MOSFET栅极阈值电压要高。
在对使用不同的快速恢复型SJ MOSFET时的效率进行比较后，得出的结论是新一代PrestoMOS™ “R6020JNX（R60xxJNx系列）”在整个负载范围内均表现出了超高的效率。这是因为新一代PrestoMOS™的反向恢复特性在快速恢复型SJ MOSFET领域中达到了业内超高水平，而且栅极阈值电压高，从而使直通电流难以流过，而且还降低了关断损耗。
以下是本系列文章的链接和关键要点。可以通过以下汇总来了解详情。
关键要点
・由于相移全桥（PSFB）电路可通过开关元件实现零电压开关（ZVS）工作，从而可大大降低开关损耗，因而能够处理更大的功率。
・PSFB开关电路基本上由四个开关元件（MOSFET）组成，并使用变压器的漏感作为ZVS工作所需的谐振电感。
・为了扩大ZVS工作范围，有时也可以与变压器串联添加电感器。在本文中的示例电路中已添加。
・在基本的开关工作中，当Q1和Q2切换ON/OFF状态之后，Q3和Q4将带有一定的相位滞后来切换ON/OFF状态。
・通常，将Q1和Q2的桥臂称为“超前桥臂”，将Q3和Q4的桥臂为“滞后桥臂”。
关键要点
・了解14种模式所表示的工作状态和电流路径。
・在进行热设计时需要注意，工作差会异造成电流波形之间存在差异，超前臂和滞后臂上的MOSFET的损耗会有所不同，所产生的热量也会不同。
・从ZVS工作成立条件的公式中可以看出，由于IL1在轻负载时较小，故ZVS工作很难成立，而随着负载变重，ZVS工作会变得容易成立。
关键要点
・轻负载时，电流小，LS中积蓄的能量少，因此很有可能在COSS充放电完成之前就开始开关工作，致使ZVS工作无法执行，容易发生MOSFET的导通损耗。
・COSS的充放电未完成可能会导致VDS残留，因此需要设置适当的死区时间（Dead Time）来防止上下桥臂短路引起的直通电流。
・MOSFET的CGD和CGS的某些电容比可能会导致流过直通电流，因此选择该电容比适当的MOSFET很重要。
关键要点
・在重负载时，如果trr较长，则超前臂关断时，寄生双极晶体管可能会误导通，从而可能损坏MOSFET。
・在PSFB电路中，在反向恢复期间体二极管的偏置电压几乎为0V，因此电荷释放速度变慢，最终导致trr变长。
・在PSFB电路中使用trr小的MOSFET很重要。
・即使是快速恢复型SJ MOSFET，其性能也会因制造商和产品系列而异，因此在选择时需要充分确认。
关键要点
・在MOSFET效率对比中，PrestoMOS™是效率最好的。
・要想提高使用了SJ MOSFET的PSFB电路的效率，重要的是要选择trr尽可能小、开关特性优异的SJ MOSFET。
参考文献[1]L.Saro, et al., “High-Voltage MOSFET Behavior I Soft-Switching Converter: Analysis and Reliability Improvements, ”International Tel-communication Conference, San Francisco, 1998.
