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关键词 : Ta

Si功率元器件

2020.06.10

MOSFET的热阻和容许损耗:可背面散热的封装

设计电路时,MOSFET热计算是必不可少的项目,尤其是对于处理大功率的功率元器件而言,不仅从工作寿命的角度看很重要,从安全性方面看也非常重要。此次将用两篇文章对MOSFET的容许损耗和热阻进行解说。本...

Si功率元器件

2019.10.23

封装选型时的热计算示例 2

继上一篇文章“封装选型时的热计算示例 1”之后,本文将作为“热计算示例 2”,继续探讨为了使用目标封装而采取的相应对策。 封装选型时的热计算示例 2 首先,为了方便确认,给出上次的损耗计算及计算结果、...

Si功率元器件

2019.10.23

损耗因素

本文将探讨工作条件和损耗增加之间的关系。 损耗因素 此前介绍过在电源电路的很多部位都会产生损耗,整体损耗的构成部分–特定部位的损耗在某些工作条件下会增加。所以需要先认识到工作条件是造成损...

Si功率元器件

2019.09.25

封装选型时的热计算示例 1

在此前的文章中介绍了损耗的发生部位以及通过计算求出相应损耗的方法。从本文开始,将介绍根据求得的损耗进行热计算,并判断在实际使用条件下是否在最大额定值范围内及其对应方法等。原本之所以求损耗(效率),是为...

Si功率元器件

2018.07.26

总结

在本章中介绍了判断所选的晶体管在实际工作中是否适用的方法和步骤。本文将进行最后的汇总。 前面按照右侧流程图及下列各项确认了所选晶体管在实工作条件下是否适用,以及是否是在确保充分的可靠性和安全的条件...

Si功率元器件

2018.06.07

确认芯片温度

在本章中介绍判断所选的晶体管在实际工作中是否适用的方法和步骤。 本文将对虽然右侧流程图中没有提及,但在下面项目中有的第⑦“确认芯片温度”进行说明。基本上只要⑥“确认平均功耗...

Si功率元器件

2018.05.10

确认平均功耗在额定功率范围内

在本章中介绍判断所选的晶体管在实际工作中是否适用的方法和步骤。 本文将介绍右侧流程图的“⑥确认平均功耗在额定功率范围内”。由于这一系列是以开关工作为前提介绍的,因此在第⑤步选择的是“连续脉冲”。 ...

Si功率元器件

2018.04.05

确认在实际使用温度降额后的SOA范围内

在本章中将介绍判断所选的晶体管在实际工作中是否适用的方法和步骤。 本篇将介绍右侧流程图的④确认在使用环境温度下降额的SOA范围内。 ①测量实际的电流/电压波形 ②确认在...