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关键词 : irr

Si功率元器件

2021.01.20

总结

本文将对该系列内容进行总结。 在“通过双脉冲测试评估MOSFET的反向恢复特性”中,重点关注了由于逆变器电路、Totem Pole型功率因数校正(PFC)电路等是两个MOSFET串联连接的桥式电路,因...

Si功率元器件

2020.11.25

误启动的发生机制

上一篇文章中通过标准型且具有快恢复特性的SJ MOSFET的双脉冲测试,介绍了“在桥式电路中,恢复特性可通过使用高速MOSFET来降低损耗,但是在某些情况下,即使使用高速MOSFET也无法降低导通损耗...

Si功率元器件

2020.10.21

通过双脉冲测试评估反向恢复特性

本文我们将根据使用了几种MOSFET的双脉冲测试结果,来探讨MOSFET的反向恢复特性。该评估中的试验电路将使用上一篇文章中给出的基本电路图。另外,相应的确认工作也基于上次内容,因此请结合上一篇文章的...

Si功率元器件

2020.09.23

什么是双脉冲测试?

我们开设了Si功率元器件的新篇章——“评估篇”。在“通过双脉冲测试评估MOSFET的反向恢复特性”中,我们将通过双脉冲测试来评估MOSFET体二极管的反向恢复特性,并确认MOSFET损耗情况。 MOS...

Si功率元器件

2018.02.08

所谓SiC-MOSFET-沟槽结构SiC-MOSFET与实际产品

本章将介绍最新的第三代SiC-MOSFET,以及可供应的SiC-MOSFET的相关信息。 独有的双沟槽结构SiC-MOSFET 在SiC-MOSFET不断发展的进程中,ROHM于世界首家实现了沟槽栅极...

Si功率元器件

2018.01.11

所谓SiC-MOSFET-体二极管的特性

上一章介绍了与IGBT的区别。本章将对SiC-MOSFET的体二极管的正向特性与反向恢复特性进行说明。 如图所示,MOSFET(不局限于SiC-MOSFET)在漏极-源极间存在体二极管。从MOS...

Si功率元器件

2017.09.07

所谓MOSFET-超级结MOSFET

从本篇开始,介绍近年来MOSFET中的高耐压MOSFET的代表超级结MOSFET。 功率晶体管的特征与定位 首先来看近年来的主要功率晶体管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率与频率...