关键词 : IGBT

相移全桥电路中轻负载时流过的电流小，LS中积蓄的能量少，所以很有可能在滞后臂的COSS充放电完成之前就开始开关工作。因此，ZVS工作无法执行，很容易发生MOSFET的导通损耗。 另一方面，当超前臂的M...

PSFB电路中的ZVS工作成立条件是：当组成开关的MOSFET的输出电容COSS放电且正向电流流过Body Diode时，使该MOSFET导通。 图中显示了PSFB电路中Q1～Q4的漏极电流波形和流经...

在上一篇文章中，简单介绍了SiC功率元器件中栅极-源极电压中产生的浪涌。从本文开始，将介绍针对所产生的SiC功率元器件中浪涌的对策。本文先介绍浪涌抑制电路。 关于SiC功率元器件中栅极－源极间电压产生...

MOSFET和IGBT等功率半导体作为开关元件已被广泛应用于各种电源应用和电力线路中。其中，SiC MOSFET在近年来的应用速度与日俱增，它的工作速度非常快，以至于开关时的电压和电流的变化已经无法忽...

前言 作为Si功率元器件评估篇的第2波，将开始一系列有关Si功率元器件通过PSFB电路进行“相移全桥电路的功率转换效率提升”的文章。 近年来，对于服务器和车载充电器等的电源，要求其能够处理更大功率的需...

到目前为止，已经以“SiC MOSFET：桥式结构中Gate-Source间电压的动作”为题，用了六个篇幅介绍了以大电流执行高速开关的桥式结构中可能出现的栅极电压的动作。 由于SiC MOSFET的...

上一篇文章中介绍了LS开关导通时栅极 – 源极间电压的动作。本文将继续介绍LS关断时的动作情况。 低边开关关断时的栅极 – 源极间电压的动作 下面是表示LS MOSFET关断时的电流动作的等效电路和波...

上一篇文章中，简单介绍了SiC MOSFET桥式结构中栅极驱动电路的开关工作带来的VDS和ID的变化所产生的电流和电压情况。本文将详细介绍SiC MOSFET在LS导通时的动作情况。 SiC MOSF...

在上一篇文章中，对SiC MOSFET桥式结构的栅极驱动电路的导通(Turn-on)/关断( Turn-off)动作进行了解说。本文将介绍在SiC MOSFET这一系列开关动作中，SiC MOSFET...

本文将针对上一篇文章中介绍过的SiC MOSFET桥式结构的栅极驱动电路及其导通(Turn-on)/关断( Turn-off)动作进行解说。 SiC MOSFET桥式结构的栅极驱动电路 LS（低边）侧...