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关键词 : FRD

Si功率元器件

2018.12.20

总结

本文是Si功率元器件基础篇的最后一篇。此前选取整流二极管、肖特基势垒二极管、快速恢复二极管、MOSFET、超级结MOSFET、Presto MOS、Hybrid MOS等Si功率元件,对其基本特性进行...

Si功率元器件

2018.10.11

电流连续模式PFC : 利用二极管提高效率的例子

继上一篇临界模式PFC的例子之后,本文将探讨电流连续模式PFC的二极管特性差异带来的效率差异。 利用二极管改善电流连续模式PFC电路效率示例 这是以前介绍PFC时用过的简化的PFC电路示例。下面来探讨...

Si功率元器件

2018.09.20

临界模式PFC : 利用二极管提高效率的例子

在实际的应用电路中,二极管和晶体管因其特性和性能不同而需要区分使用。在电源类应用中区分使用的主要目的是提高效率。本文将介绍PFC(功率因数改善)的一个例子,即利用二极管的特性差异来改善临界模式(BCM...

Si功率元器件

2018.08.23

什么是PFC

从本文开始将介绍在实际应用电路中二极管和晶体管的特性和性能不同会带来什么样的差异、使用上有什么区分。首先以PFC(功率因数改善)为例开始,有些电子设备是必须配备PFC的,所以此次先稍微介绍一下PFC。...

Si功率元器件

2018.06.21

导通电阻和Qg更低,有助于实现更低功耗

ROHM在以业界最快的trr(反向恢复时间)著称的PrestoMOS产品阵容中又新增了“R60xxMNx系列”产品。PrestMOS与标准的超级结MOSFET相比,trr减少约60%,从而大大降低...

Si功率元器件

2018.06.21

短路耐受能力更高,且自启动得到抑制

ROHM在以业界最快的trr(反向恢复时间)著称的PrestoMOS产品阵容中又新增了“R60xxMNx系列”产品。PrestMOS与标准的超级结MOSFET相比,trr减少约60%,从而大大降低...

Si功率元器件

2017.05.11

所谓SiC-SBD-与Si-PND的正向电压比较

前面对SiC-SBD和Si-PND的反向恢复特性进行了比较。下面对二极管最基本的特性–正向电压VF特性的区别进行说明。 SiC-SBD和Si-PND正向电压特性的区别 二极管的正向电压VF...

Si功率元器件

2017.01.12

所谓二极管-快速恢复二极管的特征

最后一篇谈及Si二极管。本篇将说明快速恢复二极管(以下简称为FRD)的特征、改善特性及其相关应用。 Si-FRD的特征 Si-FRD是PN结二极管,具有高速性特征,Trr极快。与此相反,就一般特征而言...

Si功率元器件

2017.01.12

所谓SiC-SBD-与Si-PND的反向恢复特性比较

面对SiC-SBD和Si-PND的特征进行了比较。接下来比较SiC-SBD和Si-PND的反向恢复特性。反向恢复特性是二极管、特别是高速型二极管的基本且重要的参数,所以不仅要比较trr的数值,还要理解...

Si功率元器件

2016.12.15

所谓SiC-SBD-特征以及与Si二极管的比较

继SiC功率元器件的概述之后,将针对具体的元器件进行介绍。首先从SiC肖特基势垒二极管开始。 SiC肖特基势垒二极管和Si肖特基势垒二极管 下面从SiC肖特基势垒二极管(以下简称“SBD”)的结构开始...