电源设计技术信息网站

订阅电子杂志   English   繁體中文   日本語   한국어

下载中心

製品情報

您可以通过产品阵容树状结构和产品特点,轻松地找到最合适的电源IC、Si以及SiC材料的功率场效晶体管和二极管等相关产品。

SiC肖特基势垒二极管

SiC肖特基势垒二极管可以降低开关损失。在高速开关电源的PFC电路中具有很好的表现。

650V
Part No. IF(A) PD(W) Package AEC-Q101
SCS206AG 6 51 TO-220AC2L
SCS206AGHR 6 51 TO-220AC
SCS206AJ 6 48 TO-263AB (LPTL)
SCS206AM 6 31 TO-220FM2L
SCS208AG 8 68 TO-220AC2L
SCS208AGHR 8 68 TO-220AC
SCS208AJ 8 62 TO-263AB (LPTL)
SCS208AM 8 34 TO-220FM2L
SCS210AG 10 78 TO-220AC2L
SCS210AGHR 10 78 TO-220AC
SCS210AJ 10 83 TO-263AB (LPTL)
SCS210AM 10 34 TO-220FM2L
SCS212AG 12 93 TO-220AC2L
SCS212AGHR 12 93 TO-220AC2L
SCS212AJ 12 88 TO-263AB (LPTL)
SCS212AM 12 37 TO-220FM2L
SCS215AE 15 110 TO-247
SCS215AG 15 110 TO-220AC2L
SCS215AGHR 15 110 TO-220AC
SCS215AJ 15 100 TO-263AB (LPTL)
SCS215AM 15 39 TO-220FM2L
SCS220AE 20 130 TO-247
SCS220AE2 20 160 TO-247
SCS220AE2HR 20 160 TO-247
SCS220AG 20 130 TO-220AC2L
SCS220AGHR 20 130 TO-220AC
SCS220AJ 20 100 TO-263AB (LPTL)
SCS220AM 20 40 TO-220FM2L
SCS230AE2 30 230 TO-247
SCS230AE2HR 30 230 TO-247
SCS240AE2 40 270 TO-247
SCS240AE2HR 40 270 TO-247
S6204 8 Bare Die
S6202 10 Bare Die
S6207 15 Bare Die
S6203 20 Bare Die
1200V
Part No. IF(A) PD(W) Package AEC-Q101
SCS205KG 5 88 TO-220AC2L
SCS205KGHR 5 88 TO-220AC
SCS210KE2 10 170 TO-247
SCS210KE2HR 10 170 TO-247
SCS210KG 10 150 TO-220AC2L
SCS210KGHR 10 150 TO-220AC
SCS215KG 15 180 TO-220AC2L
SCS215KGHR 15 180 TO-220AC
SCS220KE2 20 280 TO-247
SCS220KE2HR 20 280 TO-247
SCS220KG 20 210 TO-220AC2L
SCS220KGHR 20 210 TO-220AC
SCS230KE2 30 360 TO-247
SCS240KE2 40 420 TO-247
1700V
1700V P/N 10A 17A 25A 50A
Bare chip S64xx…x 開発中 開発中 開発中 開発中

SiC MOSFET

SiC MOSFET因为开关时的差动放大电流原则上是没有的,所以可以高速运作,开关损失降低。小尺寸芯片的导通电阻低,所以实现低容量、低门极消耗。

BVDSS P/N Package RDSon ID max SBD
400V SCTMU001F TO220AB 120mΩ 20A -
650V SCT2120AF TO220AB 120mΩ 29A -
1200V SCT2080KE TO247 80mΩ 40A -
1200V SCH2080KE TO247 80mΩ 40A 内蔵
1200V SCT2160KE TO247 160mΩ 22A -
1200V SCT2280KE TO247 280mΩ 14A -
1200V SCT2450KE TO247 450mΩ 10A -
1700V SCT2H12NZ TO3PFM 1.15Ω 3.7A -

SiC功率模块

SiC功率模块与Si(硅)材质的IGBT模块相比,可大幅降低开关损耗。开关损失小,实现高频环境下工作。

BVDSS ID max P/N Package Internal circuit
Diagram MOS SBD NTC
1200V 80A BSM080D12P2C008 C type
1200V 120A BSM120D12P2C005
1200V 180A BSM180D12P2C101
1200V 180A BSM180D12P3C007
1200V 300A BSM300D12P2E001 E type