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製品情報

您可以通过产品阵容树状结构和产品特点,轻松地找到最合适的电源IC、Si以及SiC材料的功率场效晶体管和二极管等相关产品。

Si肖特基势垒二极管

Si快速恢复二极管

Si MOSFET

Si肖特基势垒二极管

超低VF

RBxx1系列
RB161MM-20 RB051MM-2Y RB051L-40

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RBE系列
RBE05AS20A RBE05SM20A RBE2VAM20A

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低VF

RBxx5系列
RB055L-30 RB055L-40 RB055L-60

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RBxx0系列
RB160VAM-40 RB160MM-40 RB160L-40

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RBR系列
RBR3MM40A RBR5L40A ■ RBR20BM40A

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低IR

RBQ系列
■ RBQ20BM45A RBQ30NS45A RBQ30T45A

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RBxx7系列(NEW 低IR
■ RB087BM-40 ■ RB227NS-60 ■ RB227T100

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超低IR

RBxx8系列
RB088BM-40 RB238NS-40 RB238T-40

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Si快速恢复二极管

超低VF

RFNL系列
RFNL5BM6S RFNL10TJ6S RFNL20TJ6S

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通用标准型

RFN系列
RFN20TJ6S RFN30TS6S RFN60TS6D

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高速trr

RFUH系列
RFUH20TJ6S RFUH30TS6D RFUH60TS6D

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RFV系列
RFV8TJ6S RFV15TJ6S RFV15TG6S

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Si MOSFET

标准SJ MOSEFT AN系列

相比平面型MOSFET大幅降低导通电阻和门级电荷(Qg)

R50xxANx系列(500V)
Part No. Package VDSS[V] ID[A] RDS(on)[Ω]
at 10V Typ.
R5021ANX TO220FM 500 21 0.16
R5019ANX 19 0.18
R5016ANX 16 0.21
R5013ANX 13 0.29
R5011ANX 11 0.38
R5009ANX 9 0.55
R5007ANX 7 0.75
R5005CNX 6 0.9
R5021ANJ LPTS 21 0.16
R5016ANJ 16 0.21
R5013ANJ 13 0.29
R5011ANJ 11 0.38
R5009ANJ 9 0.55
R5007ANJ 7 0.78
R5005CNJ 5 1.2
SP8K80 SOP8 (Dual) 0.5 9

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R50xxANx系列(520V)
Part No. Package VDSS[V] ID[A] RDS(on)[Ω]
at 10V Typ.
R5207AND CPT3 525 7 0.78
R5205CND 5 1.2

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R60xxANx系列(600V)
Part No. Package VDSS[V] ID[A] RDS(on)[Ω]
at 10V Typ.
R6046ANZ TO247 600 46 0.069
R6046ANZ TO3PF 46 0.065
R6025ANZ 25 0.12
R6020ANZ 20 0.17
R6015ANZ 15 0.23
R6020ANX TO220FM 20 0.17
R6015ANX 15 0.23
R6012ANX 12 0.32
R6010ANX 10 0.43
R6008ANX 8 0.6
R6006ANX 6 0.85
R6020ANJ LPTS 20 0.19
R6015ANJ 15 0.23
R6012ANJ 12 0.32
R6010ANJ 10 0.43
R6008ANJ 8 0.6
R6006AND CPT3 6 0.9
R6004CND 4 1.4

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R80xxANx系列(800V)
Part No. PKG VDSS (V) ID (A) RDS(on) Typ.(Ω)
Vgs=10V
Qg
Typ.(nC) 
Vgs=10V
R8001CND CPT3
D-pack
800 1 6.7 7.2
R8002CND 2 3.3 12.7
R8005AND3 TO252
D-pack
800 5 1.6 21
R8007AND3 7 1.05 28
R8002ANJ LPT
D2-pack
800 2 3.3 12.7
R8005ANJ 5 1.6 21
R8008ANJ 8 0.79 39
R8002ANX TO220FM 800 2 3.3 12.7
R8005ANX 5 1.6 21
R8008ANX 8 0.79 39
R8010ANX 10 0.43 62
R8012ANZ1 TO247 800 12 0.35 78
R8016ANZ1 16 0.23 115

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低噪音SJ MOSFET EN系列

SJ MOSFET导通电阻低,开关速度快,因其高速性,噪音大这一点得到改善。
・结合平面型MOS的低噪音特性和SJ MOS的低导通特性。
・用低导通电阻代替平面型MOS

R60xxENx系列(600V)
PKG Part No. VDSS(V) ID(A) RDS(on) (Ω) Vgs=10V Qg (nC)
Vgs=10V
Typ.
Typ. MAX
CPT
3D-pak
R6002END 600 1.7 2.8 3.4 6.5
R6004END 4 0.9 0.98 15
TO252E
D-pak
R6007END3 600 7 0.57 0.62 20
R6009END3 9 0.5 0.535 23
R6011END3 11 0.34 0.39 32
LPT
D2-pak
R6004ENJ 600 4 0.9 0.98 15
R6007ENJ 7 0.57 0.62 20
R6009ENJ 9 0.5 0.535 23
R6011ENJ 11 0.34 0.39 32
R6015ENJ 15 0.26 0.29 40
R6020ENJ 20 0.17 0.196 60
R6024ENJ 24 0.15 0.165 70
TO220FM R6004ENX 600 4 0.9 0.98 15
R6007ENX 7 0.57 0.62 20
R6009ENX 9 0.5 0.535 23
R6011ENX 11 0.34 0.39 32
R6015ENX 15 0.26 0.29 40
R6020ENX 20 0.17 0.196 60
R6024ENX 24 0.15 0.165 70
R6030ENX 30 0.115 0.13 85
TO3PF R6015ENZ 600 15 0.26 0.29 40
R6020ENZ 20 0.17 0.196 60
R6024ENZ 24 0.15 0.165 70
R6030ENZ 30 0.115 0.13 85
R6035ENZ 35 0.095 0.102 110
TO247 R6020ENZ1 600 20 0.17 0.196 60
R6024ENZ1 24 0.15 0.165 70
R6030ENZ1 30 0.115 0.13 85
R6035ENZ1 35 0.095 0.102 110
R6047ENZ1 47 0.066 0.072 145
R6076ENZ1 76 0.038 0.042 260

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R65xxENx系列(650V)
PKG Part No. VDSS(V) ID(A) RDS(on) (Ω) Vgs=10V Qg (nC)
Vgs=10V
Typ.
Typ. MAX
CPT3
D-pak
R6502END 650 1.7 3.1 3.57 6.5
R6504END 4 0.99 1.14 15
TO252E
D-pak
R6507END3 650 7 0.63 0.725 20
R6509END3 9 0.55 0.64 23
R6511END3 11 0.375 0.435 32
LPT
D2-pak
R6504ENJ 650 4 0.99 1.14 15
R6507ENJ 7 0.63 0.725 20
R6509ENJ 9 0.55 0.64 23
R6511ENJ 11 0.375 0.435 32
R6515ENJ 15 0.29 0.335 40
R6520ENJ 20 0.19 0.22 60
R6524ENJ 24 0.165 0.19 70
TO220FM R6504ENX 650 4 0.99 1.14 15
R6507ENX 7 0.63 0.725 20
R6509ENX 9 0.55 0.64 23
R6511ENX 11 0.375 0.435 32
R6515ENX 15 0.29 0.335 40
R6520ENX 20 0.19 0.22 60
R6524ENX 24 0.165 0.19 70
R6530ENX 30 0.13 0.15 85
TO3PF R6515ENZ 650 15 0.29 0.335 40
R6520ENZ 20 0.19 0.22 60
R6524ENZ 24 0.165 0.19 70
R6530ENZ 30 0.13 0.15 85
R6535ENZ 35 0.102 0.118 110
TO247 R6520ENZ1 650 20 0.19 0.22 60
R6524ENZ1 24 0.165 0.19 70
R6530ENZ1 30 0.13 0.15 85
R6535ENZ1 35 0.102 0.118 110
R6547ENZ1 47 0.073 0.084 145
R6576ENZ1 76 0.042 0.049 260

高速SJ MOSFET KN系列

在保持低噪音性能的同时,对应可高速开关的元器件的要求。
・重点在于高速开关性能和低导通电阻。
・降低Rg和Qgd,提高开关性能
・降低开关损失,实现高效。

R60xxKN系列(600V)
PKG Part No. VDSS(V) ID(A) RDS(on) (Ω) Vgs=10V Qg (nC)
Vgs=10V
Typ.
Typ. MAX
CPT3
D-pak
R6002KND 600 1.7 2.8 3.4 4.5
R6004KND 4 0.9 0.98 10
TO252E
D-pak
R6007KND3 600 7 0.57 0.62 14
R6009KND3 9 0.5 0.535 16
R6011KND3 11 0.34 0.39 22
LPT
D2-pak
R6004KNJ 600 4 0.9 0.98 10
R6007KNJ 7 0.57 0.62 14
R6009KNJ 9 0.5 0.535 16
R6011KNJ 11 0.34 0.39 22
R6015KNJ 15 0.26 0.29 27
R6020KNJ 20 0.17 0.196 40
R6024KNJ 24 0.15 0.165 47
TO220FM R6004KNX 600 4 0.9 0.98 10
R6007KNX 7 0.57 0.62 14
R6009KNX 9 0.5 0.535 16
R6011KNX 11 0.34 0.39 22
R6015KNX 15 0.26 0.29 27
R6020KNX 20 0.17 0.196 39
R6024KNX 24 0.15 0.165 47
R6030KNX 30 0.115 0.13 57
TO3PF R6015KNZ 600 15 0.26 0.29 27
R6020KNZ 20 0.17 0.196 40
R6024KNZ 24 0.15 0.165 47
R6030KNZ 30 0.115 0.13 57
R6035KNZ 35 0.095 0.102 74
TO247 R6020KNZ1 600 20 0.17 0.196 40
R6024KNZ1 24 0.15 0.165 47
R6030KNZ1 30 0.115 0.13 57
R6035KNZ1 35 0.095 0.102 74
R6047KNZ1 47 0.066 0.072 97
R6076KNZ1 76 0.038 0.042 174

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Presto MOS/高速trr SJ MOSFET FN系列

在逆变器电路中,将MOSFET/IGBT和二极管组合使用的情况较多,满足无需外接二极管、希望减少零部件数量以及提高二极管效率的要求。
・改善SJ MOSFET寄生二极管的trr特性

R50xxFNx系列(500V)
PKG Part No. VDSS(V) ID(A) RDS(on)
Typ.(Ω)
Vgs=10V
Qg
Typ.(nC)
Vgs=10V
trr Typ.
(ns)
TO220FM R5009FNX 500 9 0.65 18 78
R5011FNX 11 0.4 30 85
R5016FNX 16 0.22 45 100

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R60xxFNx系列(600V)
PKG Part No. VDSS(V) ID(A) RDS(on)
Typ.(Ω)
Vgs=10V
Qg
Typ.(nC)
Vgs=10V
trr Typ.
(ns)
LPT
D2-pack
R6008FNJ 600 8 0.73 20 67
R6012FNJ 12 0.39 35 75
TO220FM R6008FNX 600 8 0.73 20 67
R6012FNX 12 0.39 35 75
R6015FNX 15 0.27 42 90
R6020FNX 20 0.2 65 105
TO3PF R6025FNZ 600 25 0.14 85 120
R6046FNZ 46 0.075 150 145
TO247 R6025FNZ1 600 25 0.14 85 120
R6046FNZ1 46 0.075 150 143

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Presto MOS/高速trr 低Ron SJ MOSFET MN系列

以更好地改善逆变器电路的效率为目标,进一步改善如下几点。
・无需外接FRD
・门级容量Qg小
・可以改善逆变器等效率
・改善SJ MOSFET寄生二极管的trr特性

R60xxMNx系列(600V)
PKG Part No. VDSS(V) ID(A) RDS(on)
Typ.(Ω)
Vgs=10V
Qg
Typ.(nC)
Vgs=10V
trr Typ.
(ns)
TO252
D-pack
R6007MND3 600 7 0.54 10 65
R6010MND3 10 0.27 20 70
TO220FM R6030MNX 600 30 0.11 45 92
TO3PF R6047MNZ 600 47 0.07 75 105
TO247 R6047MNZ1 600 47 0.07 75 105
R6076MNZ1 76 0.04 120 135

大功率高速开关Hybrid MOS GN系列

由于市场上节能、高效的需求高涨,在保持MOSFET的开关速度的同时,满足能够对应更大功率晶体管的要求。