这篇文章来源于EEPW 网友jobs

感谢eepw，板子收到了，还没来得及开箱。

先来学习一下。

通过阅读说明书，了解到板子上有多个LED。我们可以通过LED的亮灭，掌握评估板的工作状态；而且当报警用 LED 灯亮时，会通过外部电路进入锁存状态

很贴心了

LED指示灯的位置，如下图所示：

每个LED代表的意义如下：

● HV alive（红色）：当高压电源 HVdc存在10V以上的电压时灯亮，即使切断高压电源也有可能处于灯亮状态，因此灯亮时切勿触摸电路板；HVdc的电压在 10V 以下时灯灭。

● +5V_ON（绿色）：正常工作时灯亮，将输出控制用电源（+12V）；未施加控制用电源时灯灭。

● HS_Vcc2_ON / LS_Vcc2_ON（绿色）：正常工作时灯亮，栅极驱动用隔离电源正常启动；栅极驱动用隔离电源未输出时灯灭。

● HS_FAULT / LS_FAULT（红色）：驱动IC的FLT信号输出时灯亮；正常工作状态下灯灭。

● OCP（红色）：当检测到LS端MOSFET的过电流时灯亮，同时LS_FAULT也灯亮；正常工作状态下灭。

下表是FAULT LED 灯亮及其含义：

先写到这里，有时间再来更新

P02SCT3040KR-EVK-001是ROHM推出的半桥电路的SiC MOS管的评估板。

收到此开发板后，首先包装就非常的精美、可靠，不但使用了强力的保护棉，而且整个开发板及MOS管都用防静电袋包装，防护做的非常好。如下图：

之后通过查资料大致了解了一下此开发板的功能原理，P02SCT3040KR-EVK-001板子采用的是半桥电路的拓扑，最大支持电压为800V，并设置有过流保护。使用该评估板，可进行双脉冲测试、Boost电路、两电平逆变器、同步整流型Buck电路等评估。应用领域包括服务器、基站、太阳能逆变器、蓄电系统、电动汽车的充电站等。

使用的SiC MOS管为SCT3040KR，采用4引脚封装（TO-247-4L），可充分地发挥出SiC MOSFET本身的高速开关性能。在传统的3引脚封装（TO-247N）中，源极引脚的电感分量※2）会引起栅极电压下降，并导致开关速度延迟。4引脚封装（TO-247-4L），可以分离电源源极引脚和驱动器源极引脚，因此，可减少电感分量的影响。这样，能够充分地发挥出SiC MOSFET的高速开关性能，尤其是可以显著改善导通损耗。与以往产品相比，导通损耗和关断损耗合起来预计可降低约35％的损耗。

该评估板需要几个外部电源和输入信号源。为了避免任何形式的故障或破坏，务必遵循正确的上电和下电顺序，如下图所示。

上电顺序下电顺序

该评估板配备了多个LED指示灯。 LED的位置如图所示，请注意，如果Alarm LED点亮，则板将进入Latch状态，说明外部电路存在故障。但是，该评估板配备了一个“复位”按钮，按该按钮可清除故障。 异常情况消除后，单板恢复正常工作状态。按下复位按钮（非锁定类型）可以清除锁。如果LS_FAULT和OCP LED同时亮起，请确保首先重置OCP。过电流保护（OCP）电路检测安装在LS MOSFET源极和PGND之间的电流检测电阻上的压降，将OCP检测信号输入到LS MOSFET驱动器IC（U102）的VTSIN输入（引脚01），在以下位置生成FLT信号输入端，使所有的CLK信号无效，包括HS端。

该评估板上，每个HS和LS都有两个通孔（无镀层），以便使用Rogowski电流探头轻松测量流到每个器件的电流。可以在HS的漏极引脚和LS的电源引脚上测量电流。
评估板上的连接器接口定义如下图：

在CN202连接器正常接入12V直流电源后，LED201,LED51和LED151绿灯常亮，如下图：

测试CN201连接器的电压，01引脚的使能端电压为5V，08引脚电压也为5V，测试电压如下两图：

测试结果显示，电压的稳定精度很高，达到了0.2%。

由于功率管子还没焊接上，测试了Q51和Q151的G和S间的电压值如下两图所示：

总之，ROHM半导体的这款开发板做的非常好，不但可以很好的验证碳化硅器件的优越性能，还能帮助我们更深入的了解碳化硅器件及TO-247-4L封装的优点，同时还可以验证碳化硅器件在Boost电路、两电平逆变器、同步整流型Buck电路等不同拓扑机构上的使用方法及注意事项。对我们以后应用碳化硅，氮化镓等新型半导体器件也起到很好的指导作用。