在重负载时，如果MOSFET的体二极管的反向恢复时间t_rr较长，且有电流残留，则在超前臂的MOSFET关断时，寄生双极晶体管可能会误导通，从而损坏MOSFET。这种问题发生在由关断时产生的对漏源电容C_DS的充电电流而使寄生双极晶体管自发地导通（误导通）、瞬间流过大电流时。 在逆变器电路等电路中，在正向电流流过MOSFET的体二极管的状态下，通过施加高反向偏置电压，强制使体二极管中的电荷（Q_rr）被快速释放。这种放电所需时间为t_rr，因此最终会导致t_rr变短。 而在PSFB电路中，在反向恢复期间施加到体二极管的偏置电压几乎为0V，这会使电荷释放速度变慢，最终导致t_rr变长。下图为超前臂MOSFET的V_DS、I_D和反向恢复电流示意图。 当t_rr变长时，反向恢复所产生的电流会发生变化，如图中红色虚线所示。也就是说，当关断时，MOSFET中有电荷残存，这使得电流更容易流动，使寄生双极晶体管更容易误导通。

因此，在PSFB电路中，需要使用t_rr小的MOSFET。简言之，t_rr越小越有效。市场上有一些低t_rr的快速恢复SJ MOSFET，但制造商和产品系列不同，t_rr及其相关参数也存在差异，因此，在选择时需要进行充分确认。 即使是滞后臂的MOSFET，在关断时也可能引起寄生双极晶体管的误导通。但是，正如通过PSFB电路的工作所解释说明的，由于与超前臂相比，I_D为正的时间段较长，因此不容易受到t_rr的影响，滞后臂不容易因寄生双极晶体管的误导通而导致MOSFET损坏。与超前臂一样，这里也给出了反向恢复电流的示意图。