效率的评估

相移全桥电路的功率转换效率提升

针对本系列文章的主题——转换效率,本文将会给出使用实际电源电路进行评估的结果。具体而言,本文对Q1~Q4的MOSFET使用导通电阻约0.2Ω的五种快速恢复型SJ MOSFET时的结果进行了比较。测试条件为输入电压in=390V、输出电压Vout=12V、输出电流Iout=10A~50A、开关频率fsw=100kHz。

如图所示,结果显示R6020JNX(红色实线)在整个负载范围内效率最高。R6020JNX是最新一代的PrestoMOS™,具有业内先进的高速trr和优化的寄生电容。

此外,与比较对象R6020FNX(相当于上一代产品)和其他MOSFET相比,栅极阈值电压VGS(th)更高,这会使误导通导致的直通电流难以流过。通常,当VGS(th)高时,导通损耗会增加,但在PSFB电路中,可以在轻负载时调整Dead Time,在重负载时利用ZVS技术,来减少各自的导通损耗,因此,弱化了高VGS(th)带来的劣势。

从这些方面来看,可以说要想提高使用了SJ MOSFET的PSFB电路的效率,选择trr尽可能小、开关特性优异的SJ MOSFET很重要。

关键要点:

・在SJ MOSFET的效率对比中,PrestoMOS™是效率最好的。

・要想提高使用了SJ MOSFET的PSFB电路的效率,重要的是要选择trr尽可能小、开关特性优异的SJ MOSFET。

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